等离子增强化学气相淀积设备 麻辣烫炉

等离子增强化学气相淀积设备

术原理是利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电（或另加发热体）使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜。

产品特点

● 薄膜沉积工艺的低温化（<450℃）

● 节省能源，降低成本，提高产能

● 减少了高温导致的硅片中少子寿命衰减

● 配备自动舟升降，全数字化软着陆实现2～4管工艺舟自动取料

● 该设备拥有超长恒温区（1200mm）、高精度温度控制等多项技术，整体性能得到很大的提高

● 125mmx125mm与156mmx156mm单晶或多晶方片兼容，适用于200μm、180μm、160μm厚度硅片

● 大容量炉膛，有效口径φ390mm（适应石英管内径φ350mm）

● 工业计算机自动控制整个工艺过程，通过触摸屏操作简洁直观

高性能进口元器件组合

采用进口压控系统、射频电源、干泵、质量

流量计及进口气路元器件，确保设备运行的可靠

性和工艺的均匀性。   

成熟工艺、成熟产品

多年专业电子设备研发经验，铸就成熟工艺

及成熟产品，且成膜均匀性好，并具有较高的转

换效率。

设备应用

在硅片表面沉积一层氮化硅减反射膜，以增

加入射在硅片上的光的透射，减少反射，氢原子

掺杂在氮化硅中附加了氢的钝化作用。

其化学反应可以写成：

3SiH4 + 4NH3 = Si3N4 + 12H2

技术参数

产能：  

● 125mmx125mm    288片/40min/ 管          

● 156mmx156mm    252片/40min/ 管     

● 单台4管PECVD的年产量可达到30MW

● 结构型式……………………………………卧式热壁型

● 工作温度范围………………………………150～500℃

● 恒温区长度及精度………………………±2℃/1200mm

● 折射率…………………………………………2.0～2.2

● 系统极限真空……………………………………优于1Pa

● 工作压力范围及精度…±0.3pa/100～300 Pa闭环控制

● 系统漏气率…………………………………＜1.5Pa/min

● 控制方式…………………………………工业微机控制

淀积Si3N4薄膜均匀性（800A0情况下）：

● W-I-W :    ±3 %

● W-T-W :    ±5 %

● B-T-B :    ±5 %

等离子增强化学气相淀积设备